05
28
2018
三極管的管型及管腳的判別是電子技術(shù)初學者的一項基本功，為了迅速掌握測判方法，這有四句口訣：“三顛倒，找基極；PN結(jié)，定管型；順箭頭，偏轉(zhuǎn)大；測不準，動嘴巴。”
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05
21
2018
MOS管買回來進行使用的時候就需要拆裝。那么在這個過程中需要注意哪些方面呢？今天mos管廠家飛虹就為大家?guī)硪恍嵺`小經(jīng)驗分享。
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05
17
2018
MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。
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05
07
2018
三極管從結(jié)構(gòu)上分為雙極型晶體管（BJT、電流控制）與場效應(yīng)型三極管（FET，電壓控制器件）。
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04
28
2018
整流二極管可分為4類：通用整流用、通用開關(guān)用、肖特基勢壘二極管、快速恢復(fù)二極管4種類型。通用型一般用于整流，主要目的是將交流整流為直流。
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04
20
2018
中國電子展，權(quán)威的綜合性專業(yè)電子展。中國電子展始于1964年，是中國歷史最悠久、最權(quán)威的電子行業(yè)展會。中國電子展以領(lǐng)先的基礎(chǔ)電子技術(shù)，促進中國電子產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新，與中國電子產(chǎn)業(yè)共同成長。
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04
13
2018
在一些電路的設(shè)計中，不光是開關(guān)電源電路中，經(jīng)常會使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問題，更是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本。
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04
08
2018
第一種：雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V（BR）DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
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03
30
2018
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)
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03
24
2018
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
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03
17
2018
MOS管相對于三極管或者是二極管是一種新型的半導(dǎo)體。很多時候在選擇MOS管的時候很容易困惑，今天小編就為大家解答一下MOS管的優(yōu)劣勢。
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03
10
2018
大家在選擇三級管和MOS管時，有時會困惑兩者的區(qū)別。接下來廣州飛虹半導(dǎo)體廠家為大家講解兩者的不同，希望可以幫助到你們。
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03
01
2018
大家在選擇MOS管的過程中，經(jīng)常會被品牌交換參數(shù)的對應(yīng)問題困擾。很多時候大家只關(guān)注了電流電壓滿足請求，卻很少在性能上做比擬。
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02
08
2018
更換二極管的時候盡可能地用同型號的二極管更換。選配二極管的時候要注意些什么呢？下面由MOS管廠家廣州飛虹告訴您：
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02
01
2018
溫升的測量主要包括MOS開關(guān)管、變壓器、輸出整流二極管和輸出電容等關(guān)鍵功率元件表面溫升的測量，常用的測量儀器有紅外測溫儀和熱電偶測量儀。
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01
24
2018
MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。
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01
18
2018
晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。在電子元件家族中，三極管屬于半導(dǎo)體主動元件中的分立元件。
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01
10
2018
因為MOS管屬于精密電子元件，在運行中電流源源不斷地通過起重，所以一旦出現(xiàn)電涌等瞬間電流或電壓增加的情況就可能造成擊穿或燒毀，盡管在制作過程中采用了一定的措施進行保護，但是并不能從根本上排除這類問題出現(xiàn)的誘因，所以在使用的時候應(yīng)當注意以下問題：
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01
05
2018
晶體三極管具有電流放大作用，其實質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量,這是三極管最基本的和最重要的特性。
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12
27
2017
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。
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