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MOS管開關易損失?掌握這些方法能省不少錢!

文章作者:廣州飛虹 瀏覽量:5135 類型:行業(yè)資訊 日期:2018-03-24 10:45:54 分享:

  MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。



廣州MOS管廠家



  不管是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導通損耗。

  選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。

  MOS在導通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內,MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多,而且開關頻率越快,損失也越大。



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  導通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。縮短開關時間,可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率,可以減小單位時間內的開關次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關損失。

  質量好的MOS管,開關的損失也比較少。廣州飛虹MOS管廠家主要研發(fā)、生產、經營:場效應管、三極管等半導體器件,專注大功率MOS管制造15年,咨詢熱線: 400-831-6077。
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